Задачи по физическим основам электроники

---

Задание 1

Материал полупроводника: Si
Дано:                            
В полупроводнике р-типа концентрация атомов акцепторной примеси составляет NА=1017см-3,
 Т = 300 К     
  Определить:
Концентрации основных и неосновных носителей заряда pp и npи положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFp-Ei

Задание 2

Материал полупроводника: Si
Дано:
Диффузионная длина электронов Ln=0,015см
Диффузионная длина дырок Lp=0,01см
Площадь перехода S=0,004см2
Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны NД=1016см-3 и  NA=1015см-3,  T=300 K
Определить:    
Контактную разность потенциалов ϕко и ширину перехода Δ0 в равновесном состоянии (u=0), а также отношение ширины участков перехода, лежащих в n- и р-областях Δn/Δp

Задание 3

Дано
Удельная крутизна b=3,0 мА/В2
Пороговое напряжение Uпор= -3В
Питающее напряжение Ес=7В
Нагрузочное сопротивление Rc=8кОм
Полевой транзистор с каналом n-типа, включенный по схеме ОИ, имеет параметры: удельная крутизна b, пороговое напряжение Uпор. Заданы напряжение питания Eси нагрузочное сопротивление Rс.
Определить:
Рассчитать и построить на графике передаточную характеристику транзистора Uси= f (Uзи). Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения Uзи = Uпор … 0. В рабочей точке, соответствующей Uси= EС/ 2, рассчитать коэффициент усиления по напряжению KU.